场效应晶体管是一种基于半导体材料的电子元件，它是通过控制半导体中的载流子密度来控制电流的。它有三个电极：漏极、源极和栅极。其中，漏极和源极之间形成了一个由半导体构成的导电通道，通过控制栅极的电场，可以控制通道中的电子数量，从而控制漏极和源极之间的电流。晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能。国创在此分享场效应晶体管与晶体管区别。
场效应晶体管与晶体管区别：
1.晶体管是电流控制器件，场效应晶体管是电压控制器件；
2.晶体管是双极型器件，场效应晶体管是单极型器件。由于晶体管是依靠两种载流子导电的，故称为双极型器件。而场效应晶体管仅利用多数载流子导电，故称为单极型器件；
3.晶体管热稳定性差，而场效应晶体管的特性比较稳定；
4.晶体管的发射极和集电极不可互换使用，而场效应晶体管的漏、源极可以互换。耗尽型MOS管的栅压还可正可负，场效应晶体管比晶体管使用灵活；
5.场效应晶体管可以在很小电流和很低电压下正常工作。
上述就是
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