场效应晶体管是一种基于半导体材料的电子元件，它是通过控制半导体中的载流子密度来控制电流的。它有三个电极：漏极、源极和栅极。其中，漏极和源极之间形成了一个由半导体构成的导电通道，通过控制栅极的电场，可以控制通道中的电子数量，从而控制漏极和源极之间的电流。
场效应晶体管具有以下特点：
输入电阻高：由于FET的栅极与半导体之间是一个大面积的PN结，所以栅极电阻非常高，输入电阻也就非常高，通常在几百MΩ到几GΩ之间，比双极型晶体管高得多。
噪声低：由于输入电阻高，FET的噪声比双极型晶体管低很多，特别是在低频和中频区域，可以有效降低电路噪声。
带宽高：由于FET的输入电阻高，电容小，因此在高频区域可以工作得更好，具有更高的带宽。
功耗低：FET的输出电流非常小，所以它的功耗也非常低，适合用于低功耗应用中。
开关速度快：FET的载流子移动速度很快，因此可以实现很高的开关速度。
可靠性高：FET没有移动部件，因此寿命比双极型晶体管更长，而且更耐高温。
上述就是
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