西安国创电子股份有限公司

　　产品结构：硅NPN外延扩散平面型，金属封装

　　特点：

　　◆饱和压降小。

　　◆反向漏电小。

　　质量等级及执行标准：

　　◆国标Ⅱ类“J”

　　GB4589.1-89 GB12560-90 Q/FR294-2009

　　3DK401B主要用途：用于驱动信号放大等电路中。