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特点
正向导通损耗小、反向恢复时间短、正向压降低；
芯片采用台面工艺；
可提供封装外形有：TO-254(2CZ6766、2CZ6767、2CZ30600);TO-258(2CZ45600、2CZ50200)
质量等级及执行标准
2CZ6766、2CZ6767：JP、JT、JCT级，ZZR-Q/RBJ30011-2013;
2CZ30600：JP、JT、JCT级，ZZR-Q/RBJ30012-2013；JCT级，ZZR-Q/RBJ21097-2013；
2CZ45600：JP、JT、JCT级，ZZR-Q/RBJ30012-2013；
2CZ50200：JP、JT、JCT级，ZZR-Q/RBJ30012-2013；JCT级，ZZR-Q/RBJ21096-2013；
最大额定值
型号/参数 | IFM(A) | VBR(V) | VRWM(V) | IFSM(A) | Trr(ns) | Tstg(℃) |
替代国外型号 |
IR=0.1mA | tp=8.3ms | 单芯 | |||||
2CZ6766 | 12 | ≥400 | 400 | 125(单芯) | ≤60 | -65~150 | 1N6766 |
2CZ6767 | 12 | ≥600 | 600 | 125(单芯) | ≤60 | -65~150 | 1N6767 |
2CZ30600 | 30 | ≥600 | 600 | 150(单芯) | ≤80 | -65~150 | HFA35HB60C |
2CZ45600 | 45 | ≥600 | 600 | 225 | ≤120 | -65~150 | HFA45HC60C |
2CZ50200 | 50 | ≥200 | 200 | 300(单芯) | ≤100 | -65~150 | HFB50HC20C |
电参数 | 测试条件 | 2CZ6766/6767 | 2CZ30600 | 2CZ45600 | 2CZ50200 | 单位 | ||||
最小 | 最大 | 最小 | 最大 | 最小 | 最大 | 最小 | 最大 | |||
VFM1 | TC=25℃,IF=0.5IFM | - | 1.35 | - | 1.9 | - | 1.47 | - | 1.2 | V |
VFM2 | TC=25℃,IF=IFM | - | 1.55 | - | 2.3 | - | 1.81 | - | 1.49 | V |
VFM3 | TC=125℃,IF=0.5IFM | - | - | - | 2.1 | - | 1.37 | - | 0.99 | V |
VFM4 | TC=-55℃,IF=0.5IFM | - | - | - | - | - | 1.87 | - | 1.36 | V |
VFM5 | TC=-55℃,IF=IFM | - | 1.7 | - | - | - | - | - | - | V |
IR1 | VR=VRWM | - | 10 | - | 10 | - | - | - | 10 | μA |
IR2 | TC=125℃,VR=VRWM | - | 1 | - | 1 | - | - | - | 0.1 | mA |
Ctot | VR=5V,f=1MHz | - | 300 | - | 36a | - | 65a | - | 200a | pF |
注：本表中电参数均为单芯的电特性。a电容测试条件为VR=200V,f=1MHz. | ||||||||||
