3CG112型硅PNP高频小功率晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：A3-01B、SMD-0.2、UB型。
质量等级及执行标准
G、G+级，Q/RBJ1108-2004，QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ | |
3CG112A | 300 | 1000 | 50 | -20 | -15 | -4 | -55~175 |
3CG112B | -35 | -30 | |||||
3CG112C | -50 | -45 | |||||
aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照2mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率；TC＞25℃时，按6.7mW/℃线性地降额. | |||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | -20 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -15 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -4 | - | - | V |
ICBO | VCB=-10V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
ICEO | VCE=-10V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
IEBO | VEB=-1.5V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
hFE | VCE=-10V,IC=10mA | 25 | - | 180 | - |
VBE(sat) | IC=30mA,IB=3mA | - | -0.8 | -1 | V |
VCE(sat) | IC=30mA,IB=3mA | - | -0.1 | -0.5 | V |
| fT | VCE=-10V,IC=10mA,f=30MHz | 200 | 200 | - | MHz |
| Cob | VCB=-10V,IE=0,f=1MHz | - | 3.5 | 5 | pF |
