3CG184型硅PNP高频高反压小功率晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ | |
3CG180A | 700 | 2000 | 300 | -120 | -100 | -5 | -55~175 |
3CG180B | -160 | -140 | |||||
| 3CG180C | -200 | -180 | |||||
| 3CG180D | -240 | -220 | |||||
| 3CG180E | -280 | -260 | |||||
| 3CG180F | -320 | -300 | |||||
| 3CG180G | -380 | -350 | |||||
3CG180H | -400 | -400 | |||||
| 3CG180I | -450 | -450 | |||||
aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照4.67mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率；TC＞25℃时，按13.3mW/℃线性地降额. | |||||||
电特性
参 数 | 数 值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 最大值 | ||
ICBO | 3CG184A | VCB=-50V |
- |
1 |
μA |
3CG184B | VCB=-60V | ||||
3CG184C | VCB=-70V | ||||
3CG184D | VCB=-80V | ||||
3CG184E、F | VCB=-90V | ||||
3CG184G | VCB=-110V | ||||
3CG184H、I | VCB=-200V | ||||
ICEO | 3CG184A | VCE=-50V |
- |
1
|
μA |
3CG184B | VCE=-60V | ||||
3CG184C | VCE=-70V | ||||
3CG184D | VCE=-80V | ||||
3CG184E、F | VCE=-90V | ||||
3CG184G | VCE=-110V | ||||
3CG184H、I | VCE=-200V | ||||
IEBO | VEB=-4V | - | 1 | μA | |
hFE | VCE=-10V,IC=20mA | 20 | 200 | - | |
VBE(sat) | IC=30mA,IB=3mA | - | -1.2 | V | |
VCE(sat) | IC=30mA,IB=3mA | - | -0.8 | V | |
fT | VCE=-10V,IC=20mA,f=30MHz | 50 | - | MHz | |
