3CG200型硅PNP高频小功率晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
质量等级及执行标准
G、G+级，Q/RBJ1104-2004;QZJ840611;
JP、JT、JCT级，ZZR-Q/RBJ20016-2002,GJB33A-1997.
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ | |
3CG200A | 700 | 2000 | 200 | -20 | -15 | -4 | -55~175 |
3CG200B | -30 | -20 | |||||
| 3CG200C | -40 | -30 | |||||
| 3CG200D | -50 | -40 | |||||
3CG200E | -60 | -50 | |||||
| 3CG200F | -70 | -60 | |||||
aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照4.67mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率；TC＞25℃时，按13.3mW/℃线性地降额. | |||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | -20 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -15 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -4 | - | - | V |
ICBO | VCB=-10V | - | 0.02 | 0.2 | μA |
ICEO | VCE=-10V | - | 0.02 | 0.5 | μA |
IEBO | VEB=-2V | - | 0.02 | 0.5 | μA |
hFE | VCE=-5V,IC=50mA | 25 | - | 250 | - |
VBE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | -0.8 | -1 | V |
VCE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | -0.1 | -0.5 | V |
| fT | VCE=-10V,IC=30mA,f=30MHz | 50 | 150 | - | MHz |
| Cob | VCB=-10V,IE=0mA,f=1MHz | - | 7 | 10 | pF |
