3CG2905型硅PNP高频小功率晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
质量等级及执行标准
G、G+级，Q/RBJ1109-2004;QZJ840611;
JP、JT、JCT级，ZZR-Q/RBJ20023-2003,GJB33A-1997.
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | A | V | V | V | ℃ | |
3CG2905 | 600 | 3000 | 0.6 | -60 | -60 | -5 | -55~175 |
aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照4mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率；TC＞25℃时，按20mW/℃线性地降额. | |||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | -60 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -60 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=-50V | - | 7 | 10 | nA |
ICEO | VCE=-10V | - | 20 | 500 | nA |
IEBO | VEB=-3.5V | - | 30 | 50 | nA |
hFE | VCE=-10V,IC=1mA | 25 | - | 250 | - |
VBE(sat) | IC=150mA,IB=15mA | - | -0.8 | -1.2 | V |
VCE(sat) | IC=150mA,IB=15mA | - | -0.1 | -0.4 | V |
| fT | VCE=-10V,IC=50mA,f=30MHz | 200 | 250 | - | MHz |
| Cob | VCB=-10V,IE=0mA,f=1MHz | - | 7 | 8 | pF |
