3CG4034、3CG4035型硅PNP高频小功率晶体管
￥1.00
- 产品详情
- 产品参数
特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：A3-01B、SMD-0.2、UB型。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
3CG4035:JP、JT、JCT级，ZZR-Q/RBJ20064-2010,GJB33A-1997.
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | A | V | V | V | ℃ | |
3CG4034 | 360 | 1000 | 0.1 | -50 | -40 | -5 | -55~175 |
| 3CG4035 | 360 | 1000 | 0.1 | -50 | -40 | -5 | -55~175 |
aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照2.4mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率；TC＞25℃时，按6.67mW/℃线性地降额. | |||||||
电特性
参 数 | 数 值 | 单位 | ||||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | ||
VCBO | IC=0.1mA | -50 | - | - | V | |
VCEO | IC=0.1mA | -40 | - | - | V | |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V | |
ICBO | VCB=-10V | - | 0.02 | 0.1 | μA | |
ICEO | VCE=-10V | - | 0.02 | 1 | μA | |
IEBO | VEB=-2V | - | 0.02 | 1 | μA | |
hFE | VCE=-10V,IC=1mA | 25 | - | 180 | - | |
VBE(sat) | IC=50mA,IB=5mA | - | -0.8 | -1.6 | V | |
VCE(sat) | IC=50mA,IB=5mA | - | -0.1 | -0.8 | V | |
fT | 3CG4034 | VCE=-10V,IC=5mA,f=100MHz | 200 | 250 | - | MHz |
3CG4035 | 450 | 700 | ||||
