3CG8550型硅PNP高频小功率晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：A3-01B、SMD-0.2、UA型。
可替代型号：S8550.
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | A | V | V | V | ℃ | |
3CG8550 | 500 | 1000 | 0.5 | -40 | -25 | -5 | -55~175 |
aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照3.33mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率；TC＞25℃时，按6.67mW/℃线性地降额. | |||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | -40 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -25 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=-40V | - | 0.05 | 0.1 | μA |
ICEO | VCE=-20V | - | 0.1 | 0.2 | μA |
IEBO | VEB=-3V | - | 0.05 | 0.1 | μA |
hFE | VCE=-1V,IC=50mA | 80 | - | 300 | - |
VBE(sat) | IC=500mA,IB=50mA | - | -0.4 | -0.6 | V |
VCE(sat) | IC=500mA,IB=50mA | - | -1 | -1.2 | V |
| fT | VCE=-6V,IC=20mA,f=30MHz | 150 | 200 | - | MHz |
