特点
金属或金属陶瓷封装;体积小,重量轻;
特征频率高;开关时间小;在各种电路中作开关及高频放大与振荡用;
可提供封装外形有:A3-02B、SMD-0.2、UA型。
质量等级及执行标准
G、G+级,Q/RBJ1201-2004,QZJ840611;
JP、JT、JCT级,ZZR-Q/RBJ20049-2009,GJB33A-1997.
JCT、JY1级增长(JCT/K+、JY1/K+),ZZR(Z)-Q/RBJ20049A-2011,GJB33A-1997.
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ | |
3CK3A | 700 | 2000 | 200 | -25 | -20 | -5 | -55~175 |
3CK3B | -35 | -30 | |||||
3CK3C | -25 | -20 | |||||
3CK3D | -35 | -30 | |||||
3CK3E | -25 | -20 | |||||
3CK3F | -35 | -30 | |||||
aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率;TA>25℃时,按照4.67mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率;TC>25℃时,按13.3mW/℃线性地降额. |
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | ||||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | ||
VCBO | IC=0.1mA | -20 | - | - | V | |
VCEO | IC=0.1mA | -15 | - | - | V | |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V | |
ICBO | VCB=-10V | - | 0.02 | 0.2 | μA | |
ICEO | VCE=-10V | - | 0.02 | 0.5 | μA | |
IEBO | VEB=-2V | - | 0.02 | 0.5 | μA | |
hFE | VCE=-1V,IC=50mA | 25 | - | 180 | - | |
VBE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | -0.8 | -1 | V | |
VCE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | -0.1 | -0.5 | V | |
fT | VCE=-10V,IC=50mA,f=30MHz | 120 | 200 | - | MHz | |
ton | IC=100mA,IB=10mA | - | 20 | 45 | ns | |
toff | 3CG3A、B | IC=100mA,IB=10mA | - | 150 | 200 | ns |
3CG3C、D | 120 | 150 | ||||
3CG3E、F | 85 | 100 |