3CK3型硅PNP高频小功率开关晶体管
3CK3型硅PNP高频小功率开关晶体管
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特点

金属或金属陶瓷封装;体积小,重量轻;

特征频率高;开关时间小;在各种电路中作开关及高频放大与振荡用;

可提供封装外形有:A3-02B、SMD-0.2、UA型。

质量等级及执行标准

G、G+级,Q/RBJ1201-2004,QZJ840611;

JP、JT、JCT级,ZZR-Q/RBJ20049-2009,GJB33A-1997.

JCT、JY1级增长(JCT/K+、JY1/K+),ZZR(Z)-Q/RBJ20049A-2011,GJB33A-1997.


最大额定值


型号

Ptot1a

Ptot2b

ICM

VCBO

VCEO

VEBO

Tstg,Tj

mW

mW

mA

V

V

V

3CK3A


700


2000


200

-25

-20


-5


-55~175

3CK3B

-35-30
3CK3C

-25

-20

3CK3D-35-30

3CK3E

-25

-20

3CK3F-35-30

aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率;TA>25℃时,按照4.67mW/℃线性地降额.

bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率;TC>25℃时,按13.3mW/℃线性地降额.


电特性

   

符号

测试条件

最小值

典型值

最大值

VCBO

IC=0.1mA

-20

-

-

V

VCEO

IC=0.1mA

-15

-

-

V

VEBO

IE=0.1mA

-5

-

-

V

ICBO

VCB=-10V

-

0.02

0.2

μA

ICEO

VCE=-10V

-

0.02

0.5

μA

IEBO

VEB=-2V

-

0.02

0.5

μA

hFE

VCE=-1V,IC=50mA

25

-

180

-

VBE(sat)

IC=100mA,IB=10mA

-

-0.8

-1

V

VCE(sat)

IC=100mA,IB=10mA

-

-0.1

-0.5

V

fT

VCE=-10V,IC=50mA,f=30MHz

120

200

-

MHz

ton

IC=100mA,IB=10mA

-

20

45

ns


toff

3CG3A、B


IC=100mA,IB=10mA


-

150

200


ns

3CG3C、D

120

150

3CG3E、F

85

100

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