3CK9型硅PNP高频小功率开关晶体管
3CK9型硅PNP高频小功率开关晶体管
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特点

金属或金属陶瓷封装;体积小,重量轻;

特征频率高;开关时间小;在各种电路中作开关及高频放大与振荡用;

可提供封装外形有:A3-02B、SMD-0.2、UA型。

质量等级及执行标准

G、G+级,Q/RBJ1203-2004,QZJ840611;

JP、JT、JCT级,ZZR-Q/RBJ20065-2010,GJB33A-1997.


最大额定值


型号

Ptot1a

Ptot2b

ICM

VCBO

VCEO

VEBO

Tstg,Tj

mW

mW

mA

V

V

V

3CK9A


700


2000


700

-25

-20


-4


-55~175

3CK9B

-35-30
3CK9C

-45

-40

3CK9D-60-55

3CK9E

-25

-20

3CK9F-35-30
3CK9G

-45

-40

3CK9H-60-55

aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率;TA>25℃时,按照4.67mW/℃线性地降额.

bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率;TC>25℃时,按13.3mW/℃线性地降额.


电特性

   

符号

测试条件

最小值

典型值

最大值

VCBO

IC=0.1mA

-25

-

-

V

VCEO

IC=0.1mA

-20

-

-

V

VEBO

IE=0.1mA

-4

-

-

V

ICBO

VCB=-10V

-

0.02

1

μA

ICEO

VCE=-10V

-

0.02

5

μA

IEBO

VEB=-4V

-

0.02

5

μA

hFE

VCE=-1V,IC=300mA

25

-

180

-

VBE(sat)

IC=500mA,IB=50mA

-

-0.9

-1.2

V

VCE(sat)

IC=500mA,IB=50mA

-

-0.2

-0.8

V

fT

VCE=-10V,IC=50mA,f=30MHz

100

150

-

MHz

ton

IC=500mA,IB=50mA

-

20

40

ns

toff

3CG3A~D

IC=500mA,IB=50mA

-

150

200

ns

3CG2E~H

90

100


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