3CK024型硅PNP高频大功率开关晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；开关时间小；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mA | V | V | V | ℃ | |
| 3CK024C | 1000 | 1000 | -80 | -80 | 5 | -55~175 |
| 3CK024D | -110 | -110 | ||||
3CK024E | -150 | -150 | ||||
aPtot1为TA=25℃,不加散热帽时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照6.67mW/℃线性地降额. | ||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | -80 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -80 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=VEBO | - | 0.05 | 0.2 | mA |
ICEO | VCE=0.7VCEO | - | 0.02 | 1 | mA |
IEBO | VEB=-5V | - | 0.05 | 0.2 | mA |
hFE | VCE=-5V,IC=750mA | 30 | - | - | - |
VBE(sat) | IC=1000mA,IB=100mA | - | -0.9 | -1.6 | V |
VCE(sat) | IC=1000mA,IB=100mA | - | -0.5 | -0.8 | V |
| Cob | VCB=-10V,IE=0mA,f=1MHz | - | 100 | 200 | pF |
| ton | IC=1000mA,IB=100mA | - | 300 | 500 | ns |
| toff | IC=1000mA,IB=100mA | - | 200 | 400 | ns |
