3CK113型硅PNP高频小功率开关晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；开关时间小；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：A3-01B、SMD-0.2、UB型。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ | |
3CK113A | 300 | 1000 | 100 | -20 | -15 | -4 | -55~175 |
3CK113B | -35 | -30 | |||||
| 3CK113C | -50 | -45 | |||||
| 3CK113D | -20 | -15 | |||||
3CK113E | -35 | -30 | |||||
aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照2mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率；TC＞25℃时，按6.7mW/℃线性地降额. | |||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | ||||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | ||
VCBO | IC=0.1mA | -20 | - | - | V | |
VCEO | IC=0.1mA | -15 | - | - | V | |
VEBO | IE=0.1mA | -4 | - | - | V | |
ICBO | VCB=-10V | - | 0.02 | 0.2 | μA | |
ICEO | VCE=-10V | - | 0.02 | 0.2 | μA | |
IEBO | VEB=-4V | - | 0.02 | 0.2 | μA | |
hFE | VCE=-1V,IC=30mA | 25 | - | 180 | - | |
VBE(sat) | IC=50mA,IB=5mA | - | -0.8 | -0.95 | V | |
VCE(sat) | IC=50mA,IB=5mA | - | -0.1 | -0.3 | V | |
fT | VCE=-10V,IC=10mA,f=30MHz | 150 | 250 | - | MHz | |
| Cob | VCB=-10V,IE=0mA,f=1MHz | - | 3.5 | 7 | pF | |
ton | IC=50mA,IB=5mA | - | 20 | 50 | ns | |
toff | 3CK113A~C | IC=50mA,IB=5mA | - | 100 | 120 | ns |
3CG113D、E | 70 | 80 | ||||
