3CK125型硅PNP高频大功率开关晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
开关时间小；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：B2-01C、SMD-3、TO-258型。
质量等级及执行标准
G、G+级，Q/RBJ1401-2004,QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mA | V | V | V | ℃ | |
3CK125A | 125 | 15 | -40 | -30 | -5 | -55~175 |
3CK125B | -60 | -40 | ||||
| 3CK125C | -80 | -60 | ||||
| 3CK125D | -100 | -80 | ||||
3CK125E | -120 | -100 | ||||
| 3CK125F | 12 | -140 | -120 | |||
| 3CK125G | -180 | -160 | ||||
| 3CK125H | -220 | -200 | ||||
aTA＞25℃,按照833.33mW/℃线性地降额. | ||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | -40 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -30 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=-20V | - | 2 | 200 | μA |
ICEO | VCE=-20V | - | 2 | 800 | μA |
IEBO | VEB=-2V | - | 2 | 200 | nA |
hFE | VCE=-5V,IC=2A | 20 | - | 120 | - |
VBE(sat) | IC=5A,IB=1A | - | -1 | -1.2 | V |
VCE(sat) | IC=5A,IB=1A | - | -0.5 | -0.8 | V |
| fT | VCE=-5V,IC=2A,f=10MHz | 30 | 50 | - | MHz |
| ton | IC=500mA,IB=50mA | - | 100 | 200 | ns |
| toff | IC=500mA,IB=50mA | - | 800 | 1200 | ns |
