3CK2905、3CK2907型硅PNP高频小功率开关晶体管
3CK2905、3CK2907型硅PNP高频小功率开关晶体管
¥1.00
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特点


金属或金属陶瓷封装;体积小,重量轻;

特征频率高;开关时间小;在各种电路中作开关及高频放大与振荡用;

可提供封装外形有:

3CK2905:A3-02B、SMD-0.2、UA型。

3CK2907:A3-01B、SMD-0.2、UB型。

质量等级及执行标准

3CK2905:JP、JT、JCT级,ZZR(Z)-Q/RBJ22108-2009,GJB33A-1997.

3CK2907:JP、JT、JCT级,ZZR(Z)-Q/RBJ22109-2009,GJB33A-1997.


最大额定值


型号

Ptot1a

Ptot2b

ICM

VCBO

VCEO

VEBO

Tstg,Tj

mW

W

A

V

V

V

3CK2905

800a
3b

0.6c

-60

-60

-5

-55~175

3CK2907

500d1e

aPtot1为TA=25时的最大额定功率;TA>25℃时,按照4.6mW/℃线性地降额.

bPtot2为TC=25℃,加散热器时的最大额定功率;TC>25℃时,按17mW/℃线性地降额.

cICM为集电极允许耗散功率的范围,能连续通过发射极的直流电流的最大值。

dPtot1为TA=25时的最大额定功率;TA>25℃时,按照2.9mW/℃线性地降额.

ePtot2为TC=25℃,加散热器时的最大额定功率;TC>25℃时,按5.7mW/℃线性地降额.


电特性

   

符号

测试条件

最小值

典型值

最大值

VCBO

IC=0.1mA

-60

-

-

V

VCEO

IC=0.1mA

-60

-

-

V

VEBO

IE=0.1mA

-5

-

-

V

ICBO

VCE=-50V

-

5

10

nA

IEBO

VEB=-4V

-

-

50

nA

hFE1

VCE=-10V,IC=1mA

20

-

450

-

hFE2

VCE=-10V,IC=10mA

40

-

-

-

hFE3

VCE=-10V,IC=150mA

20

-

300

-

VBE(sat)1

IC=150A,IB=15A

-0.6

-0.8

-1.3

V

VBE(sat)2

IC=500A,IB=50A

-

-1.6

-2.6

V

VCE(sat)1

IC=150A,IB=15A

-

-0.2

-0.4

V

VCE(sat)2

IC=500A,IB=50A

-

-0.8

-1.6

V

fT

VCE=-20V,IC=20A,f=100MHz

200250-MHz
ton

IC=100mA,IB=10mA

-20
45
ns
toff

IC=100mA,IB=10mA

-
210
300
ns
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