3CK3015型硅PNP高反压功率开关晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
开关时间小；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：A3-02B、SMD-3、UA型。
质量等级及执行标准
G、G+级，Q/RBJ1402-2004,QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mA | V | V | V | ℃ | |
3CK3015A | 2000 | 400 | -120 | -100 | -5 | -55~175 |
3CK3015B | -220 | -200 | ||||
| 3CK3015C | -325 | -300 | ||||
aPtot1为TA=25℃时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照13.3mW/℃线性地降额. | ||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | -120 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -100 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=-100V | - | 0.03 | 3 | μA |
ICEO | VCE=-100V | - | 0.3 | 10 | μA |
IEBO | VEB=-2V | - | 0.03 | 0.5 | μA |
hFE | VCE=-10V,IC=25mA | 30 | - | 250 | - |
VBE(sat) | IC=25mA,IB=2.5mA | - | -0.9 | -1.2 | V |
VCE(sat) | IC=25mA,IB=2.5mA | - | -0.3 | -0.5 | V |
| fT | VCE=-10V,IC=25mA,f=10MHz | 20 | 50 | - | MHz |
| ton | IC=25mA,IB=2.5mA | - | 60 | 200 | ns |
| toff | IC=25mA,IB=2.5mA | - | 600 | 800 | ns |
