3CA1型硅PNP高频功率晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
质量等级及执行标准
G、G+级，Q/RBJ1300-2004,QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
W | W | A | V | V | V | ℃ | |
3CA1A | 1 | 2 | 0.5 | -30 | -30 | -5 | -55~175 |
3CA1B | -50 | -50 | |||||
| 3CA1C | -80 | -80 | |||||
| 3CA1D | -100 | -100 | |||||
| 3CA1E | 0.2 | -130 | -130 | ||||
| 3CA1F | -150 | -150 | |||||
aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照6.67mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率；TC＞25℃时，按13.3mW/℃线性地降额. | |||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | -30 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -30 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=-20V | - | 0.02 | 0.2 | μA |
ICEO | VCE=-20V | - | 0.02 | 2 | μA |
IEBO | VEB=-2V | - | 0.02 | 1 | μA |
hFE | VCE=-20V,IC=10mA | 25 | - | 250 | - |
VBE(sat) | IC=50mA,IB=10mA | - | -0.8 | -1 | V |
VCE(sat) | IC=50mA,IB=10mA | - | -0.3 | -0.6 | V |
| fT | VCE=-20V,IC=10mA,f=10MHz | 50 | 100 | - | MHz |
