3CA2型硅PNP高频大功率晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：B2-01B、SMD-0.5、TO-257型。
质量等级及执行标准
G、G+级，Q/RBJ1301-2004,QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
W | A | V | V | V | ℃ | |
3CA2A | 2 | 1 | -30 | -30 | -5 | -55~175 |
3CA2B | -50 | -50 | ||||
| 3CA2C | -80 | -80 | ||||
| 3CA2D | -100 | -100 | ||||
| 3CA2E | 0.5 | -130 | -130 | |||
| 3CA2F | -150 | -150 | ||||
aTA＞25℃,按照13.3mW/℃线性地降额. | ||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | -30 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -30 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=-20V | - | 0.2 | 1 | μA |
ICEO | VCE=-20V | - | 2 | 10 | μA |
IEBO | VEB=-2V | - | 0.2 | 1 | μA |
hFE | VCE=-20V,IC=50mA | 20 | - | 150 | - |
VBE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | -0.8 | -1 | V |
VCE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | -0.4 | -0.6 | V |
| fT | VCE=-20V,IC=50mA,f=10MHz | 50 | 100 | - | MHz |
