3CA20型硅PNP高频大功率晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：B2-01B、SMD-1、TO-257型。
质量等级及执行标准
G、G+级，Q/RBJ1301-2004,QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
W | A | V | V | V | ℃ | |
3CA20A | 20 | 3 | -60 | -40 | -5 | -55~175 |
3CA20B | -80 | -60 | ||||
| 3CA20C | -100 | -80 | ||||
| 3CA20D | -120 | -100 | ||||
| 3CA20E | 2 | -140 | -120 | |||
| 3CA20F | -180 | -160 | ||||
aTA＞25℃,按照133.3mW/℃线性地降额. | ||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | -60 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -40 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=-20V | - | 2 | 10 | μA |
ICEO | VCE=-20V | - | 2 | 100 | μA |
IEBO | VEB=-2V | - | 2 | 10 | μA |
hFE | VCE=-5V,IC=500mA | 20 | - | 150 | - |
VBE(sat) | IC=1000mA,IB=200mA | - | -1 | -1.2 | V |
VCE(sat) | IC=1000mA,IB=200mA | - | -0.5 | -0.8 | V |
| fT | VCE=-10V,IC=200mA,f=10MHz | 20 | 50 | - | MHz |
