3CA5322、3CA5323型硅PNP高频大功率晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：A3-02B、SMD-0.2、SMD-1、TO-257、UA型。
替代国外型号：2N5322、2N5323.
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
W | W | A | V | V | V | ℃ | |
3CA5322 | 2 | 10 | 2 | -100 | -75 | -5 | -55~175 |
3CA5323 | -75 | -50 | |||||
aPtot1=2W需加散热片或冷风，保持壳温不超过75℃. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率； | |||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | -75 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -50 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=-10V | - | 0.2 | 1 | μA |
ICEO | VCE=-10V | - | 0.2 | 1 | μA |
IEBO | VEB=-2V | - | 0.2 | 1 | μA |
hFE | VCE=-10V,IC=100mA | 25 | - | 250 | - |
VBE(sat) | IC=1A,IB=200mA | - | -1 | -1.2 | V |
VCE(sat) | IC=1A,IB=200mA | - | -0.7 | -1 | V |
| fT | VCE=-10V,IC=100mA,f=10MHz | 50 | 80 | - | MHz |
