3DA3型硅NPN高频大功率晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：B2-01B、SMD-1、TO-257型。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
W | A | V | V | V | ℃ | |
3DA3A | 20 | 2.5 | 60 | 50 | 5 | -65~175 |
3DA3B | 80 | 70 | ||||
| 3DA3C | 120 | 100 | ||||
aPtot为TC=75℃,不加散热片时的最大额定功率. | ||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | 60 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 50 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 5 | - | - | V |
ICBO | VCB=20V | - | - | 0.2 | mA |
ICEO | VCE=20V | - | - | 0.1 | mA |
IEBO | VEB=2V | - | - | 0.1 | mA |
hFE | VCE=5V,IC=750mA | 20 | - | - | - |
VBE(sat) | IC=1.5A,IB=300mA | - | - | 1.2 | V |
VCE(sat) | IC=1.5A,IB=300mA | - | - | 0.8 | V |
| fT | VCE=5V,IC=500mA,f=10MHz | 80 | - | - | MHz |
