3DA31型硅NPN高频大功率晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：B2-01B、SMD-1、TO-257型。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
W | A | V | V | V | ℃ | |
3DA31A | 1.5 | 3 | 40 | 40 | 5 | -65~175 |
3DA31B | 60 | 60 | ||||
| 3DA31C | 80 | 80 | ||||
| 3DA31D | 100 | 100 | ||||
aPtot为TC=25℃,不加散热片时的最大额定功率. | ||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | ||||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | ||
VCBO | IC=0.1mA | 40 | - | - | V | |
VCEO | IC=0.1mA | 40 | - | - | V | |
VEBO | IE=0.1mA | 5 | - | - | V | |
ICEO | 3DA31A、B | VCB=30V | - | - | 0.3 | mA |
| 3DA31C、D | VCE=60V | - | - | 0.3 | mA | |
IEBO | VEB=5V | - | - | 1 | mA | |
hFE | VCE=10V,IC=100mA | 20 | - | - | - | |
VBE(sat) | IC=3A,IB=375mA | - | - | 1.8 | V | |
VCE(sat) | IC=3A,IB=375mA | - | - | 1.2 | V | |
