3DD167型硅NPN低频大功率晶体管
3DD167型硅NPN低频大功率晶体管
￥1.00
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特点

金属封装；在各种电路中作开关及放大与振荡用；

可提供封装外形有：B2-01C、SMD-1、TO-254型。

质量等级及执行标准

G、G+级，QZJ840611;


最大额定值


型号

Ptota

ICM

VCBO

VCEO

VEBO

Tstg,Tj

W

A

V

V

V

℃

3DA167B


225


15

150

100


5


-55~175

3DA167C

200

150

3DA167D250200
3DA167E350
250
3DA167F400
300

aPtot为TC=25℃,加散热片时的最大额定功率.


电特性

参   数

数值

单位

符号

测试条件

最小值

典型值

最大值

VCBO

IC=0.1mA

150

-

-

V

VCEO

IC=0.1mA

100

-

-

V

VEBO

IE=0.1mA

5

-

-

V

ICEO

VCE=0.5VCEO

-

-

5

mA

ICBO

VCB=VCBO

-

-

1

mA

hFE

VCE=5V,IC=7.5A

25

-

120

-

VBE(sat)

IC=7.5A,IB=750mA

-

-

1.5

V

VCE(sat)

IC=7.5A,IB=750mA

-

-

2

V


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