3DG112型硅NPN高频小功率晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：A3-01B、UB型。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ | |
3DG112A | 300 | 1000 | 50 | 20 | 15 | 4 | -55~175 |
3DG112B | 40 | 30 | |||||
| 3DG112C | 20 | 15 | |||||
| 3DG112D | 40 | 30 | |||||
aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照2mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率；TC＞25℃时，按6.7mW/℃线性地降额. | |||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | ||||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | ||
VCBO | IC=0.1mA | 20 | - | - | V | |
VCEO | IC=0.1mA | 15 | - | - | V | |
VEBO | IE=0.1mA | 4 | - | - | V | |
ICBO | VCB=10V | - | 0.02 | 0.1 | nA | |
ICEO | VCE=10V | - | 0.02 | 0.1 | nA | |
IEBO | VEB=2V | - | 0.02 | 0.1 | nA | |
hFE | VCE=10V,IC=10mA | 20 | - | 180 | - | |
VBE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | 0.7 | 1 | V | |
VCE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | 0.1 | 0.35 | V | |
| fT | 3DG112A、B | VCE=10V,IC=10mA,f=100MHz | 500 | 600 | - | MHz |
3DG112C、D | 700 | 750 | ||||
Cob | VCB=10V,IE=0,f=1MHz | - | 3.5 | 4 | pF | |
