3DG180型硅NPN高频高反压小功率晶体管
￥1.00
- 产品详情
- 产品参数
特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611.
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ | |
3DG180A | 700 | 2000 | 100 | 60 | 60 | 5 | -55~175 |
3DG180B | 100 | 100 | |||||
| 3DG180C | 140 | 140 | |||||
| 3DG180D | 180 | 180 | |||||
| 3DG180E | 220 | 220 | |||||
| 3DG180F | 60 | 60 | |||||
| 3DG180G | 100 | 100 | |||||
| 3DG180H | 140 | 140 | |||||
| 3DG180I | 180 | 180 | |||||
| 3DG180J | 220 | 220 | |||||
aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照4.67mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率；TC＞25℃时，按13.3mW/℃线性地降额. | |||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | ||||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | ||
VCBO | IC=0.1mA | 60 | - | - | V | |
VCEO | IC=0.1mA | 60 | - | - | V | |
VEBO | IE=0.1mA | 5 | - | - | V | |
ICBO | VCB=30V | - | 0.02 | 0.5 | μA | |
ICEO | VCE=30V | - | 0.02 | 1 | μA | |
IEBO | VEB=2V | - | 0.02 | 0.5 | μA | |
hFE | VCE=10V,IC=20mA | 25 | - | 180 | - | |
VBE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | 0.7 | 1 | V | |
VCE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | 0.1 | 0.8 | V | |
| fT | 3DG180A~E | VCE=10V,IC=20mA,f=30MHz | 50 | 80 | - | MHz |
3DG180F~J | 100 | 150 | ||||
