3DG3020型硅NPN高频小功率晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611.
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ | |
3DG3020A | 800 | 2000 | 1000 | 100 | 80 | 6 | -55~175 |
| 3DG3020B | 120 | 100 | |||||
| 3DG3020C | 140 | 120 | |||||
aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照5.33mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率；TC＞25℃时，按13.3mW/℃线性地降额. | |||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | 100 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 80 | - | V | |
VEBO | IE=0.1mA | 6 | - | - | V |
ICBO | VCB=20V | - | 0.02 | 0.5 | μA |
ICEO | VCE=20V | - | 0.2 | 1 | μA |
IEBO | VEB=2V | - | 0.02 | 0.5 | μA |
hFE | VCE=5V,IC=200mA | 20 | - | 180 | - |
VBE(sat) | IC=200mA,IB=20mA | - | 0.7 | 1 | V |
VCE(sat) | IC=200mA,IB=20mA | - | 0.1 | 0.5 | V |
| fT | VCE=10V,IC=50mA,f=30MHz | 80 | 150 | - | MHz |
