3DG5551型硅NPN高频小功率晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：A3-01B、UB型。
可替代型号：2N5551.
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ | |
3DG5551 | 500 | 1000 | 600 | 180 | 160 | 6 | -55~175 |
aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照3.33mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率；TC＞25℃时，按6.67mW/℃线性地降额. | |||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | 180 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 160 | - | V | |
VEBO | IE=0.1mA | 6 | - | - | V |
ICBO | VCB=120V | - | 30 | 50 | nA |
IEBO | VEB=4V | - | 30 | 50 | nA |
hFE | VCE=5V,IC=10mA | 80 | - | 250 | - |
| VBE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | 0.8 | 1 | V |
VCE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | 0.15 | 0.2 | V |
| fT | VCE=10V,IC=10mA,f=100MHz | 100 | 200 | 300 | MHz |
| Cob | VCB=10V,IE=0,f=1MHz | - | 5 | 10 | pF |
