3DK4 型硅NPN高频小功率开关晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
开关时间小；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
质量等级及执行标准
G、G+级，Q/RBJ2201-2004，QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ | |
3DK4A | 700 | 2000 | 800 | 45 | 30 | 4 | -55~175 |
3DK4B | 60 | 45 | |||||
| 3DK4C | 45 | 30 | |||||
| 3DK4D | 60 | 45 | |||||
aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照4.67mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率；TC＞25℃时，按13.3mW/℃线性地降额. | |||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | ||||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | ||
VCBO | IC=0.1mA | 45 | - | - | V | |
VCEO | IC=0.1mA | 30 | - | - | V | |
VEBO | IE=0.1mA | 4 | - | - | V | |
ICBO | VCB=20V | - | 0.1 | 0.5 | μA | |
ICEO | VCE=20V | - | 0.2 | 1 | μA | |
IEBO | VEB=4V | - | 0.2 | 1 | μA | |
hFE | VCE=1V,IC=500mA | 25 | - | 180 | - | |
VBE(sat) | IC=500mA,IB=50mA | - | 0.8 | 1.2 | V | |
VCE(sat) | IC=500mA,IB=50mA | - | 0.2 | 0.5 | V | |
| fT | VCE=10V,IC=50mA,f=30MHz | 150 | 200 | - | MHz | |
| Cob | VCB=10V,IE=0,f=1MHz | - | 8 | 15 | pF | |
| ton | IC=500mA,IB=50mA | - | 40 | 50 | ns | |
toff | 3DK2A、B | IC=500mA,IB=50mA | - | 200 | 250 | ns |
3DK2C、D | 110 | 150 | ||||
