3DK10型硅NPN高频中功率开关晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
开关时间小；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ | |
3DK10A | 1500 | 2000 | 1500 | 25 | 20 | 5 | -55~175 |
3DK10B | 50 | 35 | |||||
| 3DK10C | 75 | 60 | |||||
| 3DK10D | 100 | 80 | |||||
| 3DK10E | 25 | 20 | |||||
| 3DK10F | 50 | 35 | |||||
| 3DK10G | 75 | 60 | |||||
| 3DK10H | 100 | 80 | |||||
aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照4.67mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率；TC＞25℃时，按13.3mW/℃线性地降额. | |||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | ||||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | ||
ICBO | VCB=15V | - | 0.2 | 1 | μA | |
ICEO | VCE=15V | - | 0.2 | 5 | μA | |
IEBO | VEB=4V | - | 0.2 | 5 | μA | |
hFE | VCE=5V,IC=200mA | 25 | - | 180 | - | |
VBE(sat) | IC=600mA,IB=60mA | - | 0.7 | 1.2 | V | |
VCE(sat) | IC=600mA,IB=60mA | - | 0.1 | 0.6 | V | |
| Cob | VCB=10V,IE=0,f=1MHz | - | 15 | 25 | pF | |
| fT | 3DK10A~D | VCE=10V,IC=100mA,f=30MHz | 100 | 130 | - | MHz |
3DK10E~H | 120 | 150 | ||||
| ton | 3DK10A~D | IC=500mA,IB=50mA | - | 50 | 100 | ns |
3DK10E~H | 40 | 80 | ||||
toff | 3DK10A~D | IC=500mA,IB=50mA | - | 160 | 180 | ns |
3DK10E~H | 150 | 170 | ||||
