特点
金属或金属陶瓷封装;体积小,重量轻;
开关时间小;在各种电路中作开关及高频放大与振荡用;
可提供封装外形有:A3-02B、SMD-0.2、UA型。
质量等级及执行标准
G、G+级,QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ | |
3DK14A | 1000 | 2000 | 1000 | 50 | 40 | 4 | -55~175 |
3DK14B | 60 | 50 | |||||
3DK14C | 70 | 60 | |||||
3DK14D | 50 | 40 | |||||
3DK14E | 60 | 50 | |||||
3DK14F | 70 | 60 | |||||
aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率;TA>25℃时,按照6.67mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率;TC>25℃时,按13.3mW/℃线性地降额. |
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | ||||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | ||
VCBO | IC=0.1mA | 50 | - | - | V | |
VCEO | IC=0.1mA | 40 | - | - | V | |
VEBO | IE=0.1mA | 4 | - | - | V | |
ICBO | VCB=20V | - | 0.2 | 0.5 | μA | |
ICEO | VCE=20V | - | 0.2 | 1 | μA | |
IEBO | VEB=4V | - | 0.2 | 1 | μA | |
hFE | VCE=1V,IC=500mA | 25 | - | 180 | - | |
VBE(sat) | IC=500mA,IB=50mA | - | 0.8 | 1 | V | |
VCE(sat) | IC=500mA,IB=50mA | - | 0.2 | 0.5 | V | |
fT | VCE=10V,IC=100mA,f=30MHz | 150 | 180 | - | MHz | |
ton | IC=500mA,IB=50mA | - | 20 | 40 | ns | |
toff | 3DK14A~C | IC=500mA,IB=50mA | - | 250 | 280 | ns |
3DK14D~F | 150 | 180 |