3DK14型硅NPN高频中功率开关晶体管
3DK14型硅NPN高频中功率开关晶体管
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特点

金属或金属陶瓷封装;体积小,重量轻;

开关时间小;在各种电路中作开关及高频放大与振荡用;

可提供封装外形有:A3-02B、SMD-0.2、UA型。

质量等级及执行标准

G、G+级,QZJ840611;


最大额定值


型号

Ptot1a

Ptot2b

ICM

VCBO

VCEO

VEBO

Tstg,Tj

mW

mW

mA

V

V

V

3DK14A


1000


2000


1000

50

40


4


-55~175

3DK14B

60

50

3DK14C

70

60

3DK14D

50

40

3DK14E60

50

3DK14F

70

60

aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率;TA>25℃时,按照6.67mW/℃线性地降额.

bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率;TC>25℃时,按13.3mW/℃线性地降额.


电特性

   

符号

测试条件

最小值

典型值

最大值

VCBO

IC=0.1mA

50

-

-

V

VCEO

IC=0.1mA

40

-

-

V

VEBO

IE=0.1mA

4

-

-

V

ICBO

VCB=20V

-

0.2

0.5

μA

ICEO

VCE=20V

-

0.2

1

μA

IEBO

VEB=4V

-

0.2

1

μA

hFE

VCE=1V,IC=500mA

25

-

180

-

VBE(sat)

IC=500mA,IB=50mA

-

0.8

1

V

VCE(sat)

IC=500mA,IB=50mA

-

0.2

0.5

V

fT

VCE=10V,IC=100mA,f=30MHz

150
180
-
MHz
ton

IC=500mA,IB=50mA

-
20
40
ns

toff

3DK14A~C

IC=500mA,IB=50mA

-
250
280

ns

3DK14D~F

150

180
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