特点
金属或金属陶瓷封装;体积小,重量轻;
特征频率高;开关时间小;在各种电路中作开关及高频放大与振荡用;
可提供封装外形有:A3-01B、UB型。
质量等级及执行标准
G、G+级,QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ | |
3DK28A | 300 | 1000 | 50 | 35 | 25 | 4 | -55~175 |
3DK28B | 20 | 15 | |||||
3DK28C | 20 | 15 | |||||
aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率;TA>25℃时,按照2mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率;TC>25℃时,按6.7mW/℃线性地降额. |
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | ||||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | ||
VCBO | IC=0.1mA | 35 | - | - | V | |
VCEO | IC=0.1mA | 25 | - | - | V | |
VEBO | IE=0.1mA | 4 | - | - | V | |
ICBO | VCB=10V | - | 0.03 | 0.1 | μA | |
ICEO | VCE=10V | - | 0.03 | 0.1 | μA | |
IEBO | VEB=4V | - | 0.03 | 0.1 | μA | |
hFE | VCE=1V,IC=30mA | 25 | - | 180 | - | |
VBE(sat) | IC=30mA,IB=3mA | - | 0.7 | 0.9 | V | |
VCE(sat) | IC=30mA,IB=3mA | - | 0.2 | 0.3 | V | |
fT | VCE=10V,IC=20mA,f=100MHz | 500 | 650 | - | MHz | |
ton | IC=30mA,IB=3mA | - | 10 | 20 | ns | |
toff | 3DK28A | IC=30mA,IB=3mA | - | 25 | 30 | ns |
3DK28B | 20 | 25 | ||||
3DK28C | 15 | 20 |