3DK101型硅NPN高频小功率开关晶体管
3DK101型硅NPN高频小功率开关晶体管
￥1.00
  • 产品详情
  • 产品参数

特点

金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；

特征频率高；开关时间小；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；

可提供封装外形有：A3-01B、UB型。

质量等级及执行标准

G、G+级，QZJ840611;


最大额定值

型号

Ptot1a

Ptot2b

ICM

VCBO

VCEO

VEBO

Tstg,Tj

mW

mW

mA

V

V

V

℃

3DK101A


200


1000


40

30

20


4


-55~175

3DK101B

30

25

3DK101C

20

15

aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照1.33mW/℃线性地降额.

bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率；TC＞25℃时，按6.67mW/℃线性地降额.


电特性

参   数

数值

单位

符号

测试条件

最小值

典型值

最大值

VCBO

IC=0.1mA

20

-

-

V

VCEO

IC=0.1mA

15

-

-

V

VEBO

IE=0.1mA

4

-

-

V

ICBO

VCB=10V

-

0.02

0.1

μA

ICEO

VCE=10V

-

0.02

0.1

μA

IEBO

VEB=4V

-

0.02

0.1

μA

hFE

VCE=1V,IC=20mA

25

-

180

-

VBE(sat)

IC=10mA,IB=1mA

-

0.7

0.9

V

VCE(sat)

IC=10mA,IB=1mA

-

0.2

0.3

V

fT

VCE=10V,IC=10mA,f=100MHz

300
350
-
MHz
ton

IC=10mA,IB=1mA

-
10
30
ns

toff

3DK101A

IC=10mA,IB=1mA

-
45
60

ns

3DK101B35
40

3DK101C

30

35


首页
客服
购物车
加入购物车
立即购买