特点
金属或金属陶瓷封装;体积小,重量轻;
特征频率高;开关时间小;在各种电路中作开关及高频放大与振荡用;
可提供封装外形有:A3-01B、UB型。
替代国外型号:MMBT3904,PMBS3904.
质量等级及执行标准
G、G+级,Q/RBJ2202-2004,QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ | |
3DK3904 | 250 | 1000 | 200 | 60 | 40 | 6 | -65~175 |
aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率;TA>25℃时,按照1.67mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率;TC>25℃时,按6.7mW/℃线性地降额. |
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | 60 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 40 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 6 | - | - | V |
ICBO | VCB=30V | - | 30 | 50 | nA |
IEBO | VEB=5V | - | 30 | 50 | nA |
hFE | VCE=1V,IC=10mA | 100 | - | 250 | - |
VCE(sat) | IC=50mA,IB=5mA | - | 0.8 | 0.95 | V |
VBE(sat) | IC=50mA,IB=5mA | - | 0.2 | 0.3 | V |
fT | VCE=20V,IC=10mA,f=100MHz | 300 | 350 | - | MHz |
ton | IC=10mA,IB=1mA | - | 50 | 65 | ns |
toff | IC=10mA,IB=1mA | - | 220 | 250 | ns |