2D1型硅NPN高频小功率开关晶体管对管
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特性
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；开关时间小；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
采用2个芯片，芯片间相互独立，可单独使用，可根据需要采用不同芯片；
可提供封装外形有：A6-02A型。
质量等级及执行标准
G、G+级，Q/RBJ9205-2006，QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptot1/Ptot2 | ICM1/ICM2 | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mA | V | V | V | ℃ | |
2D1 | 300/200 | 200/50 | 60 | 45 | 4 | -55~150 |
注：Ptot1/Ptot2、ICM1/ICM2为两个管芯的参数值，其余参数为单管芯的参数值 | ||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | 60 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 45 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 4 | - | - | V |
ICBO | VCB=10V | - | 1 | 5 | μA |
| ICEO | VCE=10V | - | 2 | 10 | μA |
IEBO | VEB=2V | - | 2 | 5 | μA |
hFE | VCE=10V,IC=10mA | 20 | - | 150 | - |
VCE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | 0.6 | 0.9 | V |
| VBE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | 0.1 | 0.4 | V |
| fT | VCE=10V,IC=50mA,f=30MHz | 120 | 150 | - | MHz |
| ton | IC=100mA,IB=10mA | - | 20 | 60 | ns |
| toff | IC=100mA,IB=10mA | - | 250 | 300 | ns |
| 注：表中参数为每个单管的电特性。 | |||||
