LYNM024型大功率N沟道MOS场效应晶体管
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特性
执行标准:QZJ840611A
封装形式:通孔插装(TO-257);金属陶瓷封装(SMD-0.5、LCC-18);金属封装(A3-02B).
开关速度快、损耗小，输入阻抗高，驱动功耗小安全工作区宽，温度稳定性好。
替代国外型号：IRL5Y024CM、IRL5NJ024、IRFE024、IRFF024.
极限参数
贮存温度Tstg：-55℃~150℃;工作温度Tamb：-55℃~125℃;焊接温度不超过260℃，焊接时间不超过10秒。
| 参数名称|封装形式 | TO-257 | SMD-0.5 | LCC-18 | A3-02B | 单位 |
| 额定功率PD | 35 | 35 | 14 | 20 | W |
| 漏源击穿电压BVDSS | 55 | 55 | 55 | 55 | V |
| 导通电阻RDS | 0.069 | 0.06 | 0.15 | 0.15 | Ω |
| 漏极电流IDM1(TC=25℃) | 17 | 17 | 6.7 | 8 | A |
| 漏极电流IDM2(TC=100℃) | 11 | 11 | 4.2 | 4.2 | A |
| 热阻Rthjc | 3.57 | 3.57 | 9.1 | 6.25 | ℃/W |
主要电特性
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 规范值 | 单位 | ||
最小值 | 典型值 | 最大值 | ||||
导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=IDM2 | - | - | 0.069(1) | Ω |
| - | - | 0.06(2) | ||||
- | - | 0.15(3) | ||||
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0,ID=0.25mA | 55 | 60 | - | V |
| 开启电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=0.25mA | 1 | - | 2 | V |
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=BVDSS,VGS=0 | - | - | 25 | μA |
正向栅极漏电流 | IGSSF | VGS=16V(1)(2) | - | - | 100 | nA |
| VGS=20V(3) | ||||||
反向栅极漏电流 | IGSSR | VGS=-16V(1)(2) | - | - | -100 | nA |
| VGS=-20V(3) | ||||||
| 电容 | CISS | VDS=25V,VGS=0,f=1MHz | - | 520(1) | - | pF |
| 514(2) | ||||||
| 640(3) | ||||||
| 注：(1)TO-257型封装 (2)SMD-0.5型封装 (3)LCC-18、A3-02B型封装. | ||||||
