LYNM110型大功率N沟道MOS场效应晶体管
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特性
执行标准:QZJ840611A
封装形式:通孔插装(TO-257);金属陶瓷封装(SMD-0.5、LCC-18);金属封装(A3-02B).
开关速度快、损耗小，输入阻抗高，驱动功耗小安全工作区宽，温度稳定性好。
替代国外型号：IRFE110、IRFF110.
极限参数
贮存温度Tstg：-55℃~150℃;工作温度Tamb：-55℃~125℃;焊接温度不超过260℃，焊接时间不超过10秒。
| 参数名称|封装形式 | TO-257 | SMD-0.5 | LCC-18 | A3-02B | 单位 |
| 额定功率PD | 15 | 15 | 15 | 15 | W |
| 漏源击穿电压BVDSS | 100 | 100 | 100 | 100 | V |
| 导通电阻RDS | 0.6 | 0.6 | 0.6 | 0.6 | Ω |
| 漏极电流IDM1(TC=25℃) | 3.5 | 3.5 | 3.5 | 3.5 | A |
| 漏极电流IDM2(TC=100℃) | 2.25 | 2.25 | 2.25 | 2.25 | A |
| 热阻Rthjc | 8.3 | 8.3 | 8.3 | 8.3 | ℃/W |
主要电特性
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 规范值 | 单位 | ||
最小值 | 典型值 | 最大值 | ||||
导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=IDM2 | - | - | 0.6 | Ω |
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0,ID=1mA | 100 | - | - | V |
| 开启电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=0.25mA | 2 | - | 4 | V |
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=0.8BVDSS,VGS=0V | - | - | 25 | μA |
正向栅极漏电流 | IGSSF | VGS=20V | - | - | 100 | nA |
反向栅极漏电流 | IGSSR | VGS=-20V | - | - | -100 | nA |
| 电容 | CISS | VDS=25V,VGS=0,f=1MHz | - | 190(1) | - | pF |
| 180(2) | ||||||
| 注：(1)LCC-18、SMD-0.5型封装 (2)TO-257、A3-02B型封装. | ||||||
