LYNM1230型大功率N沟道MOS场效应晶体管
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特性
执行标准:Q/RBJ21082-2013(JCT)
封装形式:通孔插装(TO-257);金属陶瓷封装(SMD-0.5).
开关速度快、损耗小，输入阻抗高，驱动功耗小安全工作区宽，温度稳定性好。
极限参数
贮存温度Tstg：-55℃~150℃;工作温度Tamb：-55℃~125℃;焊接温度不超过260℃，焊接时间不超过10秒。
| 参数名称|封装形式 | TO-257 | SMD-0.5 | 单位 |
| 额定功率PD | 12 | 12 | W |
| 漏源击穿电压BVDSS | 30 | 30 | V |
| 导通电阻RDS | 0.008/0.01 | 0.008/0.01 | Ω |
| 漏极电流IDM1(TC=25℃) | 20 | 20 | A |
| 漏极电流IDM2(TC=100℃) | 17 | 17 | A |
主要电特性
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 规范值 | 单位 | ||
最小值 | 典型值 | 最大值 | ||||
导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=IDM2 | - | - | 0.008 | Ω |
| VGS=4.5V,ID=IDM2 | 0.01 | |||||
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0,ID=0.25mA | 30 | - | - | V |
| 开启电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=0.25mA | 1 | - | - | V |
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=0.8BVDSS,VGS=0 | - | - | 5 | μA |
正向栅极漏电流 | IGSSF | VGS=16V | - | - | 100 | nA |
反向栅极漏电流 | IGSSR | VGS=-16V | - | - | -100 | nA |
| 电容 | CISS | VDS=15V,VGS=0,f=1MHz | - | - | 3000 | pF |
