LYNM1590型小功率N沟道MOS场效应晶体管
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特性
执行标准:QZJ840611A
封装形式:A3-01B,UB型.
开关速度快、损耗小，输入阻抗高，驱动功耗小安全工作区宽，温度稳定性好。
替代国外型号：2SK1590；
极限参数
贮存温度Tstg：-55℃~150℃;工作温度Tamb：-55℃~125℃;焊接温度不超过260℃，焊接时间不超过10秒。
参数名称 | 额定功率PD | 漏源击穿电压BVDSS | 漏极电流IDM | Tstg,Tj |
| mW | V | mA | ℃ | |
| LYNM1590 | 200 | 60 | 200 | -55~150 |
| 注：TA=25℃时的参数。 | ||||
主要电特性
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 规范值 | 单位 | ||
最小值 | 典型值 | 最大值 | ||||
导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=10mA | - | 2.4 | 3 | Ω |
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0,ID=10μA | 60 | 90 | - | V |
| 开启电压 | VGS(th) | VDS=5V,ID=1μA | 0.8 | - | 1.8 | V |
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=60V,VGS=0 | - | - | 1 | μA |
正向栅极漏电流 | IGSSF | VGS=20V | - | - | 1 | μA |
反向栅极漏电流 | IGSSR | VGS=-20V | - | - | -1 | μA |
| 电容 | CISS | VDS=5V,VGS=0,f=1MHz | - | 26 | 40 | pF |
