LYNM20120型大功率N沟道MOS场效应晶体管
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特性
执行标准:Q/RBJ21067
封装形式:通孔插装(TO-254);金属陶瓷封装(SMD-1);
开关速度快、损耗小，输入阻抗高，驱动功耗小安全工作区宽，温度稳定性好。
替代国外型号：IRF5Y3315CM.
极限参数
贮存温度Tstg：-55℃~150℃;工作温度Tamb：-55℃~125℃;焊接温度不超过260℃，焊接时间不超过10秒。
| 参数名称|封装形式 | TO-254 | SMD-1 | 单位 |
| 额定功率PD | 60 | 60 | W |
| 漏源击穿电压BVDSS | 120 | 120 | V |
| 导通电阻RDS | 0.08 | 0.08 | Ω |
| 漏极电流IDM(TC=25℃) | 20 | 20 | A |
| 热阻Rthjc | 2.1 | 2.1 | ℃/W |
主要电特性
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 规范值 | 单位 | ||
最小值 | 典型值 | 最大值 | ||||
导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=6A | - | - | 0.08 | Ω |
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0,ID=0.25mA | 120 | - | - | V |
| 开启电压 | VGS(th) | ID=0.25mA | 2 | - | 4 | V |
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=0.8VDSM,VGS=0V | - | - | 1 | mA |
正向栅极漏电流 | IGSSF | VGS=20V | - | - | 100 | nA |
反向栅极漏电流 | IGSSR | VGS=-20V | - | - | -100 | nA |
| 电容 | CISS | VDS=25V,VGS=0,f=1MHz | - | 1800 | - | pF |
