LYPM9130型大功率P沟道MOS场效应晶体管
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特性
执行标准:QZJ840611A
封装形式:通孔插装(TO-257);金属陶瓷封装(SMD-0.5、LCC-18)；金属圆帽封装(A3-02B、B2-01C)
开关速度快、损耗小，输入阻抗高，驱动功耗小安全工作区宽，温度稳定性好。
替代国外型号：IRFY9130CM、IRHN9130、IRFE9130、IRFF9130、IRF9130.
极限参数
贮存温度Tstg：-55℃~150℃;工作温度Tamb：-55℃~125℃;焊接温度不超过260℃，焊接时间不超过10秒。
| 参数名称|封装形式 | TO-257 | SMD-0.5 | B2-01C | A3-02B | LCC-18 | 单位 |
| 额定功率PD | 75 | 75 | 75 | 25 | 25 | W |
| 漏源击穿电压BVDSS | -100 | -100 | -100 | -100 | -100 | V |
| 导通电阻RDS | 0.3 | 0.29 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | Ω |
| 漏极电流IDM1(TC=25℃) | -11.2 | -11 | -11 | -6.5 | -6.5 | A |
| 漏极电流IDM2(TC=100℃) | -7.1 | -7 | -7 | -4.1 | -4.1 | A |
| 热阻Rthjc | 1.67 | 1.67 | 1.67 | 5 | 5 | ℃/W |
主要电特性
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 规范值 | 单位 | ||
最小值 | 典型值 | 最大值 | ||||
导通电阻 | RDS(ON) | VGS=-10V,ID=IDM2 | - | 0.25 | 0.3(1)(3)(4)(5) | Ω |
| 0.29(2) | ||||||
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0,ID=-1mA | -100 | 105 | - | V |
| 开启电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=-0.25mA | -2 | -3.5 | -4 | V |
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=0.8BVDSS,VGS=0V | - | - | -25 | μA |
正向栅极漏电流 | IGSSF | VGS=-20V | - | - | -100 | nA |
反向栅极漏电流 | IGSSR | VGS=20V | - | - | 100 | nA |
| 电容 | CISS | VDS=-25V,VGS=0,f=1MHz | - | 800(1)(4) | - | pF |
| 1200(2) | ||||||
| 790(3) | ||||||
| 860(5) | ||||||
| 注：(1)TO-257型封装；(2)SMD-0.5型封装,(3)LCC-18型封装；(4)A3-02B型封装,(5)B2-01C型封装. | ||||||
