LYPM9160型大功率P沟道MOS场效应晶体管
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特性
执行标准:QZJ840611A
封装形式:通孔插装(TO-254);金属陶瓷封装(SMD-1、SMD-2)；金属圆帽封装(B2-01C)
开关速度快、损耗小，输入阻抗高，驱动功耗小安全工作区宽，温度稳定性好。
替代国外型号：IRHM9160、IRHN9160、IRHNA9160、IRH9160.
极限参数
贮存温度Tstg：-55℃~150℃;工作温度Tamb：-55℃~125℃;焊接温度不超过260℃，焊接时间不超过10秒。
| 参数名称|封装形式 | TO-254 | SMD-1 | SMD-2 | B2-01C | 单位 |
| 额定功率PD | 250 | 150 | 300 | 250 | W |
| 漏源击穿电压BVDSS | -100 | -100 | -100 | -100 | V |
| 导通电阻RDS | 0.073 | 0.06 | 0.068 | 0.073 | Ω |
| 漏极电流IDM1(TC=25℃) | -35 | -18 | -38 | -35 | A |
| 漏极电流IDM2(TC=100℃) | -24 | -11 | -24 | -24 | A |
| 热阻Rthjc | 0.75 | 0.75 | 0.42 | 0.75 | ℃/W |
主要电特性
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 规范值 | 单位 | ||
最小值 | 典型值 | 最大值 | ||||
导通电阻 | RDS(ON) | VGS=-10V,ID=IDM2 | - | 0.05 | 0.073(1) | Ω |
| 0.06(2) | ||||||
| 0.068(3) | ||||||
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0,ID=-1mA | -100 | -105 | - | V |
| 开启电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=-0.25mA | -2 | -3.3 | -4 | V |
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=0.8BVDSS,VGS=0V | - | - | -25 | μA |
正向栅极漏电流 | IGSSF | VGS=-20V | - | - | -100 | nA |
反向栅极漏电流 | IGSSR | VGS=20V | - | - | 100 | nA |
| 电容 | CISS | VDS=-25V,VGS=0,f=1MHz | - | 6000 | - | pF |
| 注：(1)TO-254、B2-01C型封装；(2)SMD-1型封装、(3)SMD-2型封装 | ||||||
