西安国创电子股份有限公司

参数名称

击穿

电压

正向

微分电阻

总电容

反向

电流

瞬态热阻

载流分子寿命

反向恢复

时间

串联电阻

正向

压降

封装

类型

符号

V(BR)

rF

Ctot

Ir

Rth

T

trr

Rs

VF

—

测试条件

IR=10μA

IF=100mA

f=50Hz

VR=30V

f=lMHz

VR=200V

IF=100mA

Tw=1s

IF=10mA

IF=100mA

IR=100mA

IF=100mA

f=100MHz

IF=10mA

—

单位

V

Ω

pF

μA

℃/W

ns

ns

Ω

V

—

型号极值

最小

最大

最大

最大

最大

最小

最大

最大

最大

—

WP0002A

—

1.42@30mA

0.27

1@260V

150

450(typ)

90

1.3@30v(typ)

—

T1210

WP0002B

—

1.38@30mA

0.27

1@230V

150

450(typ)

90

1.3@30v(typ)

—

WP0003

—

2.2@20mA

0.2

1@50V

200

70(typ)

20

1.6@30v(typ)

—

WP47A

—

1.5@30mA

0.3

1@220V

100@10s(typ)

200(typ)

80

1.2@10mA(typ)

—

WP47B

—

1.5@30mA

0.3

1@280V

100@10s(typ)

200(typ)

80

1.2@10mA(typ)

—

WP49

—

2.1@30mA

0.2

1@100V

134@10s(typ)

200(typ)

65@1/10mA(typ)

3.9@10mA(typ)

—

WP0007

—

0.7

(0.8-1.2)@50V

1@400V

30@（0.5A,10ms）

—

—

—

—

JW02F002

WP0008H

—

1.0

(0.3-0.6)@40V

1@800V

30@（0.5A,10ms）

6000(typ)

—

—

—

芯片

WP0009H

—

0.7

(0.2-0.35)@38V

1@800V

15@（0.5A,10ms）

5000(typ)

—

—

—

WP0010H

—

1.0@50mA

0.8@10V

1@50V

—

—

20

—

—

W122

WP0011A

—

—

2.8@100V

1@2000V

6@（0.5A,10ms）

10000

—

0.4@0.5A,4MHz

1.2@1A

T631

WP0011B

—

—

2.8@100V

1@2000V

6@（0.5A,10ms）

10000

—

0.4@0.5A,4MHz

1.2@1A

T100-1

WP0011C

—

—

3.2@100V

1@2000V

3@（0.5A,10ms）

10000

—

0.2@0.5A,4MHz

1.2@1A

T631

WP0011D

—

—

3.2@100V

1@2000V

3@（0.5A,10ms）

10000

—

0.2@0.5A,4MHz

1.2@1A

T633

WP0011E

—

—

3.2@100V

1@2000V

3@（0.5A,10ms）

10000

—

0.2@0.5A,4MHz

1.2@1A

T632

WP0011F

—

—

3.2@100V

1@2000V

3@（0.5A,10ms）

10000

—

0.2@0.5A,4MHz

1.2@1A

H632

WP0011G

—

—

3.2@100V

1@2000V

3@（0.5A,10ms）

10000

—

0.2@0.5A,4MHz

1.2@1A

H631

WP0012A

—

—

4.0@100V

1@3000V

2@（0.5A,10ms）

20000

—

0.25@0.5A,4MHz

1.2@1A

T100-1

WP0012B

—

—

4.0@100V

1@3000V

2@（0.5A,10ms）

20000

—

0.25@0.5A,4MHz

1.2@1A

T100-3

WP0012C

—

—

4.0@100V

1@3000V

2@（0.5A,10ms）

20000

—

0.25@0.5A,4MHz

1.2@1A

T100-2

WP0012D

—

—

4.0@100V

1@3000V

2@（0.5A,10ms）

20000

—

0.25@0.5A,4MHz

1.2@1A

H100-2

WP0012E

—

—

4.0@100V

1@3000V

2@（0.5A,10ms）

20000

—

0.25@0.5A,4MHz

1.2@1A

H100-1

WP0013H

—

1.0

0.4@40V

1

200@10ms

—

400

—

1.0

W121

WP0014H

—

0.85

—

1

—

—

—

—

—

SOD-323

WP014

—

2.5

0.08@50V

1@50V

—

—

50(typ)

—

—

芯片

WP0001HA

35

1.0

1.0@20V

—

—

100(typ)

10(typ)

0.6(typ)

—

SOT-23(P1A)

WP0001HB

35

1.0

1.0@20V

—

—

100(typ)

10(typ)

0.6(typ)

—

SOT-23(P1B)

WP0001HC

35

1.0

1.0@20V

—

—

100(typ)

10(typ)

0.6(typ)

—

SOT-23(P1C)

WP0001HD

35

1.0

1.0@20V

—

—

100(typ)

10(typ)

0.6(typ)

—

SOT-23(P1D)

WP0001HE

35

1.0

1.0@20V

—

—

100(typ)

10(typ)

0.6(typ)

—

SOT-23(P1E)

WP321

—

1.5@50mA

0.22

1@50V

—

—

30

2@200MHz(typ)

—

W304

WP322

—

1.5@50mA

0.22-0.29

1@50V

—

—

30

WP323

—

1.5@50mA

0.29-0.4

1@50V

—

—

30

2@200MHz(typ)

—

WP324

—

1.2@50mA

0.4-0.5

1@50V

—

—

30

2@200MHz(typ)

—

WP325

—

1.2@50mA

0.5-0.6

1@50V

—

—

30

2@200MHz(typ)

—

(G)WP322

—

1.5@50mA

0.45

1@50V

—

—

30

—

1.0

W202

WP32X

—

1.5@50mA

0.5

1@50V

—

—

30

2@50mA(typ)

—

芯片

WP341

—

1.0

(0.23-0.5)@50V

1@50V

200@10ms

—

200

—

1.0

T182

WP342

—

1.0

(0.23-0.5)@50V

1@300V

200@10ms

—

200

—

1.0

WP351

—

2.0

(0.04-0.1)@50V

1@50V

—

—

—

—

—

Q4(芯片)

WP352

—

2.0

(0.04-0.1)@50V

1@300V

—

—

—

—

—

WP361

—

3.0

(0.02-0.05)@50V

1@100V

—

—

—

—

—

Q3(芯片)

WP362

—

3.0

(0.05-0.07)@50V

1@100V

—

—

—

—

—

WP3861

—

1.5

0.25@0V

1@50V

300@（0.5A,10ms）

—

20@20/200mA

—

—

W202

WP3862

—

1.5

(0.26-0.3)@0V

1@50V

300@（0.5A,10ms）

—

20@20/200mA

—

—

WP3863

—

1.5

(0.31-0.4)@0V

1@50V

300@（0.5A,10ms）

—

20@20/200mA

—

—