3DG846型硅NPN高频小功率晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：A3-01B、UB型。
可替代型号：BC846.
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mA | V | V | V | ℃ | |
3DG846 | 350 | 100 | 80 | 65 | 6 | -55~175 |
aPtot为TA=25℃时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照2.33mW/℃线性地降额. | ||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | 80 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 65 | - | V | |
VEBO | IE=0.1mA | 6 | - | - | V |
ICBO | VCB=30V | - | 10 | 15 | nA |
ICEO | VCE=15V | - | 0.2 | 5 | μA |
VBE | VCE=5V,IC=2mA | 0.58 | - | 0.7 | V |
hFE | VCE=5V,IC=2mA | 55 | - | 450 | - |
VBE(sat) | IC=100mA,IB=5mA | - | 0.7 | 1 | V |
VCE(sat) | IC=100mA,IB=5mA | - | 0.2 | 0.6 | V |
| fT | VCE=5V,IC=10mA,f=100MHz | 100 | 150 | - | MHz |
| Cob | VCB=10V,IE=0,f=1MHz | - | 6 | 8 | pF |
