2C1型硅PNP高频小功率开关晶体管对管
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特性
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；开关时间小；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
采用2个芯片，芯片间相互独立，可单独使用，可根据需要采用不同芯片；
可提供封装外形有：A6-02A型。
质量等级及执行标准
G、G+级，Q/RBJ9204-2006，QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptot1/Ptot2 | ICM1/ICM2 | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mA | V | V | V | ℃ | |
2C1 | 300/200 | 200/50 | -35 | -30 | -4 | -55~150 |
注：Ptot1/Ptot2、ICM1/ICM2为两个管芯的参数值，其余参数为单管芯的参数值 | ||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | -35 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -30 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -4 | - | - | V |
ICBO | VCB=-10V | - | 1 | 5 | μA |
| ICEO | VCB=-10V | - | 2 | 10 | μA |
| IEBO | VCB=-2V | - | 2 | 5 | μA |
hFE1/hFE2 | VCE1=-1V,IC1=50mA(PNP1) VCE2=-1V,IC2=10mA(PNP2) | 20 | - | 150 | - |
VBE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | -0.8 | -0.9 | V |
| VCE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | -0.15 | -0.4 | V |
| fT | VCE=-10V,IC=10mA,f=30MHz | 120 | 150 | - | MHz |
| ton1/ton2 | IC1=100mA,IB1=10mA(PNP1) IC2=10mA,IB2=1mA(PNP2) | - | 20 | 60 | ns |
| toff1/toff2 | - | 80 | 100 | ns | |
| 注：hFE1/hFE2、ton1/ton2、toff1/toff2为两个管芯的参数值，其余参数为单管芯的参数值。 | |||||
