几乎现阶段每个完整的电子产品中都离不开放大器，而放大器性能的提高对电子产品的功能起着重要的决定作用。全球
功率放大器市场主要发展趋势是：晶圆尺寸增大；初创企业采用CMOS技术；国防领域的高速放大器需求逐渐增大：利用InGaP工艺，实现功率放大器的低功耗和高效率。
晶圆尺寸变大。半导体行业见证了过去40年晶圆尺寸的变化，砷化镓（GaAs）晶圆尺寸从50mm增大到150mm，制造成本降低了20%～25%。目前，业界制造功率放大器通常采用150mm晶圆。业内正在开发200mm晶圆技术。斯坦福大学研究人员正在研究降低200mm GaAs晶圆的价格，使其可以以较低的价格与硅晶圆争夺市场。同时这也对掩膜版检测设备登晶圆制造设备提出需求。
初创公司采用CMOS技术。一些初创企业，如Acco Semiconductor，正越来越多的采用CMOS技术。Acco Semiconductor抓住移动手机和物联网产品对射频功率放大器巨大需求的机会，已经投资350亿美元扩展其基于CMOS的射频功率放大器业务。目前绝大多数功率放大器采用锗硅（SiGe）或GaAs技术，而非CMOS。但根据报告可知，基于CMOS工艺有助于实现低成本、高性能的功率放大器。
国防领域需要高速放大器。J事领域需要更高效的利用频谱，更多的使用移动设备来通信。因此，Technavio公司称，J事领域要求高速功率放大器。美国国防先期研究计划局（DARPA）在太赫兹电子项目中已取得进展，即美国诺·格公司开发了出固态功率放大器和行波管放大器，这是仅有的两款太赫兹频率产品。太赫兹频段的功率放大器可用于许多领域，包括高分辨率安全成像、高数据速率通信、防撞雷达、远距离危险化学品和爆炸物探测系统等，这些设备的高速率运行要求必须使用高速放大器。
利用InGaP工艺，实现功率放大器的低功耗和高效率。InGaP特别适合要求相当高功率输出的高频应用。InGaP工艺的改进让产量得到了提高，并带来了更高程度的集成，使芯片可以集成更多功能。这样既简化了系统设计，降低了原材料成本，也节省了板空间。有些InGaP PA也采用包含了CMOS控制电路的多芯片封装。如今，在接收端集成了PA和低噪音放大器（LNA）并结合了RF开关的前端WLAN模块已经可以采用精简型封装。例如，ANADIGICS公司提出的InGaP-Plus工艺可以在同一个InGaP芯片上集成双极晶体管和场效应晶体管。这一技术正被用于尺寸和PAE（功率增加效率）有所改进的新型CDMA和WCDMA功率放大器。
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