硅功率变容二极管主要电特性参数（TA=25℃)
2020-09-01
来源：
參数名称 | 击穿 电压 | 反向 电流 | 结电容 | 电容 变比 | 电容 变比 | 电容 变比 | 优 值 | 截至 频率 | 封装 类型 |
符号 | V(BR) | IR | Cj(0) | γ1 | γ2 | γ3 | Q | fc | 一 |
测试条件 | IR=10μA | VR=30V | VR=0V f=1MHz | Cj0/Cj(-6) | Cj-13/Cj(-6) | Cj-35/Cj(-6) | VR=6V f=500MHz | VR=6V f=500MHz | 一 |
单位 | V | μA | pF | 一 | 一 | 一 | 一 | GHz | 一 |
型号\极限值 | 最小 | 最大 | 最大 | 最小 | 最小 | 最小 | 最小 | 最小 | 一 |
WB1006H | 一 | 1 | 1.5~2.5 | 1.2~1.7 | 0.75~0.95 | 一 | 一 | 50 | T3011 |
WB1007H | 60 | 一 | 1.5~2.5 | 1.2~1.7 | 一 | 0.7~0.9 | 30 | 一 | T556 |
WB1008H | 50 | 一 | 5.0~7.0 | 1.2~1.7 | 一 | 0.7~0.9 | 50 | 一 | T556 |
阅读134