国创肖特基二极管的原理、结构与封装形式

　　肖特基二极管是由贵金属(金、银、铝、铂等)制成的金属半导体器件。)作为正电极，N型半导体作为负电极，并且利用形成在两者的接触表面上的势垒的整流特性。因为在氮型半导体中有大量的电子，而在贵金属中只有极少量的自由电子，所以电子从高浓度的硼扩散到低浓度的硼。当肖特基二极管建立一定宽度的空间电荷区时，电场引起的电子漂移运动和不同浓度引起的电子扩散运动达到相对平衡，从而形成肖特基势垒。

　　肖特基二极管的内部电路结构基于氮型半导体，其上形成掺砷的氮外延层。阳极由钼或铝和其他材料制成，以形成阻挡层。二氧化硅(二氧化硅)用于消除边缘区域的电场并提高管的耐压性。肖特基二极管具有开关频率高、正向电压降低的优点，但其反向击穿电压相对较低，大多不高于60V，至多只有100V左右，限制了其应用范围。

　　肖特基二极管分为两种封装形式：引线和表面贴装(贴片)。带引线封装的肖特基二极管通常用作高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管。它提供单管和双管(双二极管)封装。肖特基二极管也有三种引脚引出模式：公共阴极(两个管的阴极相连)、公共阳极(两个管的阳极相连)和串联(一个二极管的阳极与另一个二极管的阴极相连)。表面封装肖特基二极管包括单管、双管和三管封装，有a～19引脚引出方法。

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