国创阶跃恢复二级管的特性及特性图

　　阶跃恢复二极管简称阶跃二极管,有时称作电荷存储二极管,是一种杂质分布特殊的PN结二极管。阶跃恢复二极管的正向特性与普通二极管相同，但反向特性却不一样。当外加电压反向时，阶跃二极管仍有很大的反向电流流过，直至某一时刻才以很快的速度转换到截止状态。其反向特性呈阶跃状，如下图3（c）所示。

　　利用阶跃二极管的上述特性，有可能在外电路中形成很窄的脉冲，即构成脉冲信号发生器。因此，可用来产生半导体激光器的驱动信号。表示阶跃二极管性能的参数有阶跃时间t_t、存储时间t_s、结电容C_f、正向电流I_f、击穿电压U_H及最大功耗等。下面主要介绍存储时间和阶跃时间的定义和作用，参考图2.

　　存储时间t_s

　　存储时间t_s是只电压开始反向到反向电流开始减小时这段时间。它决定于存储电荷的多少及载流子寿命的长短。

　　当阶跃二极管正向导通时间T_f远大于载流子在存储期的有效寿命t_F时，存储时间t_s可简单表示为t_s≈t_Fln（1+I_f/I_r）式中I_f表示正向电流、I_r表示反向电流。

　　2、阶跃时间t_t

　　定义为反向电流从0.8Ir下降到0.2Ir所需的时间，就是pn结内剩余载流子耗尽到零所需时间，可近似表示为t_t≈2.3（t_R+R₀C_f）式中t_R表示载流子在反向恢复期的寿命、R₀表示二极管串联电阻、C_f表示二极管结电容。可见，阶跃二极管的阶跃速度主要取决于pn结的结构和性质。

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