肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触，就如同二极管具有整流特性。是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。肖特基势垒（障壁）相较于PN结最大的区别在于具有较低的接面电压，以及在金属端具有相当薄的(几乎不存在)耗尽层宽度。
肖特基势垒指具有大的势垒高度（也就是ΦBn或者ΦBp>>kT）,以及掺杂浓度比导带或价带上态密度低的金属-半导体接触！
并非所有的金属-半导体接面都是具有整流特性的，不具有整流特性的金属-半导体接面则称为欧姆接触。整流属性决定于金属的功函、固有半导体的能隙，以及半导体的掺杂类型及浓度。在设计半导体器件时需要对肖特基效应相当熟悉，以确保不会在需要欧姆接触的地方意外地产生肖特基势垒。
由于肖特基势垒具有较低的界面电压，可被应用在某器件需要近似于一个理想二极管的地方。在电路设计中，它们也同时与一般的二极管及晶体管一起使用,其主要的功能是利用其较低的接面电压来保护电路上的其它器件。然而，自始至终肖特基器件相较于其它半导体器件来说能被应用的领域并不广。
肖特基二极管，肖特基势垒自身作为器件即为肖特基二极管。
肖特基势垒碳纳米管场效应晶体管FET：金属和碳纳米管之间的接触并不理想所以层错导致肖特基势垒，所以我们可以使用这一势垒来制作肖特基二极管或者晶体管等等。
上述就是
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